本书主要介绍了通过分析在不同绝缘层制备的有机场效应晶体管性能，得出绝缘层与半导体层表面能匹配可以提高场效应迁移率的规律。全书共4章，具体内容包括：有机场效应晶体管简介及发展现状分析，Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及其性能分析，表面能匹配对于不同单晶材料普适性的讨论，以及利用表面能匹配为指导制备高迁移率DNTT单晶场效应晶体管等。
场效应迁移率是评价有机半导体材料和晶体管器件性能的重要指标之一，决定了器件的开关速度、驱动能力和器件尺寸，器件的迁移率越高，其应用领域越广。目前，绝缘层表面修饰是提高场效应晶体管器件迁移率的主要方式之一。探究绝缘层表面性质对有机场效应晶体管器件迁移率的影响规律，对于制备高迁移率器件具有重要意义。
本书首先利用物理气相输运法生长超薄的Ph5T2单晶．通过机械转移的方式在八种绝缘层上制备了单晶场效应晶体管，研究绝缘层表面性质对Ph5T2单晶器件迁移率的影响规律。其次，为了验证上述规律的普适性，选择传统的并五苯和酞菁锌单晶，并在不同表面能的绝缘层上制备其单晶场效应晶体管，以进行性能分析。最后，以发现的实验规律为指导，制备了目前所见报道最高迁移率的DNTT单晶场效应晶体管，反映了材料的本征性能和规律的正确性。
高迁移率且性能稳定的有机场效应晶体管可以拓宽其在电子产品中的实际应用。本书通过大量实验得出的经验规律对后续提高有机场效应器件性能在筛选绝缘层方面提供了优化方向，并对其实际应用提供了更多可能，从而有力推动有机半导体电子学的发展。
本书内容涉及的研究课题包括辽宁省教育厅青年科技人才“育苗”项目“高迁移率有机单晶场效应晶体管的制备与机理研究”（项目编号：LQ2020016）、渤海大学校内博士启动基金项目“界面张力对有机场效应晶体管中载流子传输的机理探究”（项目编号：0520bs004）、辽宁省委组织部青年拔尖人才项目“基于范德瓦尔斯层状半导体的电声子输运调控以及热电性质研究”（项目编号：XLYC2007120）。
本书的出版得到了辽宁省教育厅、渤海大学和东北师范大学的大力支持。在编写过程中，东北师范大学汤庆鑫教授、童艳红教授、赵晓丽副教授给予了充分指导，渤海大学修晓明教授、张开成教授、董海宽副教授、王春艳副教授、计彦强副教授、尹洪杰博士、齐猛博士给予了充分支持和帮助。在此，向支持本书出版的单位和个人表示由衷的感谢。
由于作者水平有限，书中欠妥之处恳请各位读者不吝赐教。
1 绪论
1．1 场效应晶体管简介
1．1．1 场效应晶体管的基本原理
1．1．2 场效应晶体管的基本参数
1．1．3 场效应晶体管的基本构型
1．1．4 有机场效应晶体管的优势
1．1．5 有机场效应晶体管的发展现状
1．2 有机薄膜场效应晶体管
1．2．1 有机薄膜场效应晶体管的优势
1．2．2 有机薄膜的制备方法
1．2．3 有机薄膜场效应晶体管的制备方法和发展现状
1．3 有机单晶场效应晶体管
1．3．1 有机单晶场效应晶体管的优势
1．3．2 有机单晶的生长方法
1．3．3 有机单晶场效应晶体管的制备方法和发展现状
1．4 半导体／绝缘层的界面性质对有机场效应晶体管性能的影响
1．4．1 有机场效应晶体管中的界面工程
1．4．2 绝缘层的性质对有机场效应晶体管性能的影响
1．4．3 绝缘层的表面能对有机场效应晶体管性能的影响
参考文献
2 Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及其性能分析
2．1 Ph5T2单晶的生长及表征
2．1．1 Ph5T2单晶的生长
2．1．2 Ph5T2单晶的表征
2．2 绝缘层的制备及表征
2．2．1 绝缘层的选择及制备
2．2．2 绝缘层的表征
2．3 绝缘层性质对Ph5T2单晶场效应晶体管性能的影响
2．3．1 Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及表征
2．3．2 Ph5T2材料表面能的计算及选取
2．3．3 绝缘层性质对Ph5T2单晶场效应晶体管性能的影响
2．3．4 半导体和绝缘层表面能及其分量匹配提高迁移率的机理分析
2．4 本章小结
参考文献
3 表面能匹配对于不同单晶材料普适性的讨论
3．1 并五苯单晶场效应晶体管
3．1．1 并五苯单晶的生长及表征
3．1．2 并五苯单晶场效应晶体管的制备及表征
3．1．3 并五苯表面能的计算及选取
3．1．4 绝缘层表面能对并五苯单晶场效应晶体管器件性能的影响
3．2 酞菁锌单晶场效应晶体管
3．2．1 酞菁锌单晶的生长及表征
3．2．2 酞菁锌单晶场效应晶体管的制备及表征
3．2．3 酞菁锌表面能的计算及选取
3．2．4 绝缘层表面能对酞菁锌单晶场效应晶体管器件性能的影响
3．3 表面能及其分量匹配与其他实验结论的兼容
3．4 不同半导体和绝缘层表面能的汇总
3．5 本章小结
参考文献
4 高迁移率DNTT单晶场效应晶体管的制备
4．1 DNTT单晶的生长及表征
4．1．1 DNTT单晶的生长
4．1．2 DNTT单晶的表征
4．2 DNTT表面能的计算及选取
4．3 绝缘层的选取、制备及表征
4．3．1 绝缘层的选取及制备
4．3．2 绝缘层的表征
4．4 高迁移率DNTT单晶场效应晶体管的制备
4．5 本章小结
参考文献
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